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上反射屏5、侧反射屏6和下反射屏7，均采用钨钼反射屏；籽晶杆8；所述上反射屏5和保温屏9之间设有两个可以上下的加热片10，所述两个加热片10在籽晶杆8两边左右对称设置，所述两个加热片10应尽量远离籽晶杆8，降低对籽晶杆8温度的影响，所述加热器4和加热片10为并联，操作人员可以分别控制加热器4和加热片10的启与关闭；

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实际使用要求，电器元件选型，投资总价控制等。选择低压关柜要求我们对低压关性能指标，结构特点。拥有送变电工程叁级书系统的具体接线形式等有了解，再依据不同柜型特点选择。电力设备3C认。选购要则/低压关柜编辑低压关柜的选择主要涉及技术参数。低压关柜所有出厂产品必须符合3C认要求，这样才能保产品质量的一致性。柜体结构选择：柜体结构一定要与使用环境条件，方式，作要求等密切相关。如IP42，IP等。对于高温环境条件，或者采用高防护等级时。环境条件与防护等级要求：对于灰尘较多低压关柜内所有一次载流元器件均需要考虑由于散热条件变差后的载流能力降低。或潮湿等环境，选择时，需考虑采用高防护等级关柜即均需考虑降容系数，增加母排截面积，增大电器元件的壳架电流等级。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。特点编辑HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计。即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。自主产权的控制软件采用视窗，操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具了工艺实时的。可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选，保控温精度。质量流量计控制氩气流量。维护方便全自动控制系统采用模块化设计高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。